• Nexperia 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

    为钛金级电源提供了出色的解决方案

当今的工业电源、逆变器和转换器以及汽车牵引逆变器、车载充电器和转换器,不仅要求高功率性能,而且还要求精细的控制和效率,而这只有适合高频开关的氮化镓技术才能提供。
安世半导体公司650V的硅基氮化镓(GaN-on-Si)场效应晶体管(整个输出功率范围内的效率>90 %)为钛金级电源提供了出色的解决方案,同时通过AEC-Q101标准的测试,适合汽车级应用。坚固耐用的TO-247封装确保在整个工作电流和环境温度范围内实现出众的热性能。常态关断的的氮化镓场效应晶体管产品的设计和结构,允许使用低成本的标准栅极驱动器。
无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的氮化镓场效应晶体管产品组合将是您解决方案的关键。

  • 通过AEC-Q101标准的测试;
  • 整个输出功率范围内的效率>90%;
  • 增加功率密度。
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ProductPackageVDS (V)VthS (V)RDS(on)【Max】 (mΩ)AEC-Q101
Qualified
SamplesProduct Status
GaN063-650WSA TO-247(SOT429)650V80060YESNowRFS
GaN041-650WSATO-247(SOT429)650V80041YESNowDEV
GaN060-900WSATO-247(SOT429)900100063YESQ3.2020DEV
GaN03x-650LBBCCPAK88(SMD)65080039NONowDEV
GaN03x-650LTBCCPAK88(SMD)65080039NONowDEV
GaN03x-650NBBCCPAK1212(SMD)65080039YESQ3.2020DEV
GaN03x-650NTBCCPAK1212(SMD)65080039YESQ3.2020DEV
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